Article : [PAP244]

Titre : S. OUSSALAH, R. JERISIAN, Dielectric testing for integrated power devices, Microelectronics and Reliability, Vol. 37, Issues 10-11, pp. 1763-1766.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Cité dans :[REVUE199] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Vol. 37, Issues 10-11, Pages 1421-1798, 11 October 1997.

Adresse : Laboratoire de Micro-électronique de Puissance, Université de Tours 16 rue Pierre et Marie Curie, BP 7155 37071 Tours Cedex 2 France
Volume : 37
Issues : 10-11
Date : 11 October 1997
Lien : private/OUSSALAH2.pdf - 5 pages, 185 kb.
Lien : private/OUSSALAH1.pdf
Pages : 1763-1766
PII : S0026-2714(97)00156-X

Abstract :
The integrated power devices inter-layer isolation needs an over micron thick
dielectric. The reliability testing of dielectric films need to apply high
voltages, incompatible with wafer probing. We show that, exponential ramp
current charge injection into a dielectric and the dV/dt measurements offer an
alternative method to test reliability of thick dielectrics.

Index_Terms : Integrated circuit testing; Power electronics; Dielectric films;
Reliability; Silicon wafers; Current density; Integrated power devices;
Exponential ramp current stress; Charge injection

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