Article : [PAP207]
Titre : A study on the IGBT's turn-off failure and inhomogeneous operation, ISPSD'94.
Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated CircuitsAuteur : Yamashita, J.
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/Yamashita3.pdf - 358 Ko.
Source : Power Semiconductor Devices and ICs, 1994., Proceedings of the 6th
International Symposium on
Pages : 45 - 50
Date : 31 May-2 June 1994
ISBN : 3-89191-784-8
Info : IEEE Catalog Number: 94CH3377-9
Info : Total Pages : xv+436
References : 2
Accession_Number : 4922916
Abstract :
An IGBT fails to turn-off in a smaller operating area compared to
a steady state one. In this paper, the authors show that
inhomogeneous operation reduces the turn-off SOA of an IGBT, with
newly developed experiments and simulations.
Subject_terms : power transistors; turnoff failure; inhomogeneous operation; IGBT; safe operating area; turnoff SOA
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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