Article : [PAP119]
Titre : W. Bösterling, F. Kaussen, K. H. Sommer, M. Tscharm, IGBT-Modules : Concept - gate drive - fault protection, EPE'89, Aachen, 1989, pp. 599-604.
Cité dans : [CONF004] EPE, European Conference on Power Electronics and Applications, juillet 2012.Auteurs : W. Bösterling, F. Kaussen, K. H. Sommer, M. Tscharm
Revue : EPE'89 - Aachen
Date : 1989
Pages : de 599 à 604
Stockage : Thierry LEQUEU
Info. :
Mots_clef : IGBT, chip, module construction, switching, gate drive and protection circuits
Résumé : Modern inverter technology is increasingly using power modules with Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT-modules). Switching properties and
availability have paved the way for this development. The paper describes features and properties of IGBTs and the optimization of the module configuration.
It further refers to the functions of the control electronics, possibilities of gate drive and methods of overvoltage and overcurrent protection. The objective
being to provide suggestions relating to the rational and efficient design of the accessories of IGBT-modules in inverters.
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