X. TIANG, C. GLAIZE, F. FOREST, "Circuits de commande pour IGBT avec isolation - Drivers for insulated gate bipolar transistors", Electronique de Puissance, Feb. 1990, No 37, pp. 26-33.

X. TIANG, C. GLAIZE, F. FOREST, "Circuits de commande pour IGBT avec isolation - Drivers for insulated gate bipolar transistors", Electronique de Puissance, Feb. 1990, No 37, pp. 26-33. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [PAP046]

Titre : X. TIANG, C. GLAIZE, F. FOREST, Circuits de commande pour IGBT avec isolation - Drivers for insulated gate bipolar transistors, Electronique de Puissance, Feb. 1990, No 37, pp. 26-33.

Cité dans : [ART146]  F. COSTA, E. LABOURE, A. PUZO, A. PONS, Influence of the Driver Circuit in the Generation and Transmission of EMI in a Power Converter, Effects on its Electromagnetic Susceptibility, EPE JOURNAL, vol. 5, no 1, mars 1995, pp. 35-44.

Auteurs : TIANG X. et GLAIZE Christian du LEM USTL Montpellier, FOREST François du LESIR ENS de Cachan.

Info : recherche du 4 juin 1998, STN - INSPEC
Stockage : Thierry LEQUEU
Source : Electronique de Puissance (Feb. 1990) no.37, p.26-33. 3 refs.
CODEN : ELPUEO
ISSN : 0760-0259

Abstract :
Driving an insulated gate bipolar transistor (IGBT) is relatively easy thanks to the capacitive input impedance. However, variations
of drive circuits can be designed to meet specified performance and simplicity requirements. The authors describe a number of practical
driver designs for power MOSFETs and IGBTs. These circuits provide galvanic insulation between the drive and the power section without
requiring an auxiliary power supply.

Accession_Number : 90:3629027

  [1] :  [PAP062]  C. GLAIZE, F. FOREST, F. CHAREF, Study of Power Bidirectional Switch using MOS-Transistors, Third International Conference on Power Electronics and Variable-Speed Drives, London, UK, 1988, pp. 51-53
  [2] :  [PAP063]  [D3120][D3121], Commande des composants actifs, C. GLAIZE, Techniques de l'Ingénieur, mars 1989, 21 pages.

Bibli. : "Commande pour circuits à pont IGBT ou HEXFET", S. YOUNG, Electronique de Puissance n°30, 1989

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