SANCHEZ J.L., BERRIANE R., "Evolution des composants de puissance basée sur le concept d'intégration fonctionnelle des dispositifs MOS et bipolaires.", EPF'94, ENS de CACHAN pp. 183-185.

SANCHEZ J.L., BERRIANE R., "Evolution des composants de puissance basée sur le concept d'intégration fonctionnelle des dispositifs MOS et bipolaires.", EPF'94, ENS de CACHAN pp. 183-185. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [PAP008]

Titre : SANCHEZ J.L., BERRIANE R., Evolution des composants de puissance basée sur le concept d'intégration fonctionnelle des dispositifs MOS et bipolaires., EPF'94, ENS de CACHAN pp. 183-185.

Cité dans : [CONF005] EPF, Electronique de Puissance du Futur, août 2016.
Cité dans :[99DIV112] Publications du LAAS, janvier 2000.

Auteurs : J.L. SANCHEZ, R. BERRIANE

Revue : EPF'94 - ENS de CACHAN
Date : 1994
Pages : de 183 à 185

Stockage : Thierry LEQUEU
Info. :
Mots clef : Electronique de puissance, ASD

  [1] :  [PAP010]  J.B QUOIRIN, R. PEZZANI, Intégration monolothique, état de l'art et tendance future, Forum Européen des Semiconducteur de Puissance, Club CRIN, Clamart, 22 ocobre 1997, pp. 9-14.

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