M. SAHLI, T. PHAM, A. RAMIREZ, "Etude bibliographique sur l’IGBT", 30 octobre 2015, 18 pages.
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Fiche : [DATA504]
Titre : M. SAHLI, T. PHAM, A. RAMIREZ, Etude bibliographique sur l’IGBT, 30 octobre 2015, 18 pages.
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.
Auteur : Mohamed Sahli
Auteur : Thang Pham
Auteur : Alan Ramirez
Date : 30 octobre 2015
Tuteur : Professeur M. H. Schneider
Page : 1 - 18
Lien : private/RAMIREZ-SALHI-PHAM.pdf - 18 pages, 816 Ko.
Dans le cadre du cours sur les composants de puissances, nous allons nous intéresser aux interrupteurs statiques que sont les transistors IGBT. Leur structure hybride entre les transistors MOS et Bipolaires est très appréciée en électronique de puissance et tend à faire disparaitre les transistors bipolaire. En nous basant sur les points importants de l’article qui nous a été fournis et des recherches complémentaires nous caractériserons l’IGBT et le MOSFET afin de pouvoir les comparer et déterminer les domaines et applications de prédilection de ces interrupteurs commandés.
Introduction : ... 2
I-L’IGBT ... 3
1-Structure ... 3
2-Caractéristiques statiques ... 4
a) A l’état passant ... 4
b) A l’état bloqué ... 5
3-Caractéristiques dynamiques ... 7
a) Fermeture sur circuit inductif ... 7
b) Ouverture sur circuit inductif ... 8
c) Phénomène d’accrochage ... 9
d) Court-circuit ... 10
II-Le MOSFET ... 11
1-MOSFET à enrichissement... 12
a) A l'état ouvert. ... 13
b) A l'état fermé. ... 13
2-Caractéristiques statiques ... 13
3-Caractéristiques dynamiques ... 14
4-Limites de fonctionnement ... 14
III-MOSFET vs IGBT ... 15
Conclusion ... 16
Bibliographie... 17
[1] : P. Aloïsi, Les semiconducteurs de puissance, de la physique du solide aux applications, ellipses, 2001.
[2] : S. Levebvre et F. Misery, Composants à semi-conducteurs pour l'électronique de puissance, Tec&Doc, 2004.
[3] : G. Séguier, F. Labrique et P. Delarue, Electronique de puissance : Sructures, Commandes, Applications, Dunod, 2015.
[4] : J. Dodge et J. Hess, «IGBT Tutorial,» 2002.
[5] : J.-L. F. S. TOO, Caractérisation et Modélisation de composants IGBT et diodes PIN dans leur environnement thermique sévère lié aux application aéronautique, Toulouse, 2010.
[6] : Polytech Lille, [En ligne]. Available: http://www.polytech-lille.fr/cours-atome-circuit-integre/unip/unip810.htm. [Accès le 27 10 2015].
[7] : [En ligne]. Available: http://mach.elec.free.fr/divers/polycop_composants_elec_puiss.pdf. [Accès le 27 10 2015].
[8] : [En ligne]. Available: http://macao.communications.museum/eng/exhibition/secondfloor/moreinfo/2_10_4_howfetworks.html. [Accès le 27 10 2015].
[9] : IUT Grenoble, [En ligne]. Available: http://iut-tice.ujf-grenoble.fr/tice-espaces/GEII/jpf/wupload/File/Poly-Semi-conducteurs.pdf. [Accès le 27 10 2015].
[10] : T. Lequeu et L. Gonthier. [En ligne]. Available: www.thierry-lequeu.fr/data/Gonthier/IGBT02.pdf. [Accès le 25 10 2015].
[11] : A. Sattar, Insulated Gate Bipolar Transistor.
[12] : Renesas Electronics, IGBT Application Note.
[13] : [En ligne]. Available: https://fr.wikipedia.org.
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