Fiche : [DATA096]

Titre : T. LEQUEU, Projet 04 - IGBT / Etude de l'IGBT par J.-P. Thauvin, 1999.

Cité dans : [DATA076] T. LEQUEU, Documentations de maquettes électroniques, mars 2023.
Cité dans :[99DIV119] J.P. THAUVIN, Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT, fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63.

Projet : IUT1
Révision : 1
Date : 1999

Bibliographie

  [1] : [99DIV119] J.P. THAUVIN, Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT, fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63.

Liste des composants

Lien : BYT30PI4.pdf - 5 pages, 96 Ko, BYT 30PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE.

Lien : CAPA159.pdf - 11 pages, 48 Ko, Aluminium electrolytic capacitors, Power Ultra Long Life Snap-in 159 PUL-SI.

  [1] :  [DIV126]  T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, octobre 2022.

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 48 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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