J.P. THAUVIN, "Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT", fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63.

J.P. THAUVIN, "Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT", fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Fiche : [99DIV119]

Titre : J.P. THAUVIN, Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT, fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63.

Cité dans :[REVUE012] La revue 3E.I, N°1, La machine asynchrone, décembre 1994.
Cité dans : [DIV120]  Les revues 3.E.I. et le site http://www.see.asso.fr , octobre 2022.
Cité dans : [DATA096] T. LEQUEU, Projet 04 - IGBT / Etude de l'IGBT par J.-P. Thauvin, 1999.

Stockage : Bibliothèque LMP

Liste des composants

Lien : IRGPC40F.pdf - 7 pages, 108 Ko, Fast speed IGBT, 600V, 27A.
Lien : BYT30PI4.pdf - 5 pages, 96 Ko, BYT 30PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE.
Lien : CAPA159.jpg - image.
Lien : CAPA159.pdf - 11 pages, 48 Ko, Aluminium electrolytic capacitors, Power Ultra Long Life Snap-in 159 PUL-SI.

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 46 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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