M. NANDAKUMAR, B.J. BALIGA, "The Base Resistance controlled Thyristor (BRT), a new MOS gated power thyristor", IEEE transaction on Electron Devices, pp. 1138-1141, 1991.

M. NANDAKUMAR, B.J. BALIGA, "The Base Resistance controlled Thyristor (BRT), a new MOS gated power thyristor", IEEE transaction on Electron Devices, pp. 1138-1141, 1991. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [99ART133]

Titre : M. NANDAKUMAR, B.J. BALIGA, The Base Resistance controlled Thyristor (BRT), a new MOS gated power thyristor, IEEE transaction on Electron Devices, pp. 1138-1141, 1991.

Cité dans :[99DIV104] Recherche sur l'auteur B. JAYANT BALIGA, juin 2001.
Cité dans : [PAP252]  M. NANDAKUMAR, B.J. BALIGA, M.S. SHEKAR, S. TANDON, A. REISMAN, Theoretical and experimental characteristics of the base resistance controlled thyristor (BRT)
Cité dans :[99ART124]

Auteur : NANDAKUMAR M.
Auteur : BALIGA B.J.

Revue : IEEE transaction on Electron Devices
Pages : 1138 - 1141
Date : 1991
Stockage :
Lien : 99ART124.HTM#Bibliographie - référence [5].

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 45 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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