MATSUDA H., HIYOSHI M., KAWAMURA N., "Pressure contact assembly technology of high power devices", ISPSD '97, pp. 17-24, 26-29 May 1997.
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Article : [99ART100]

Titre : MATSUDA H., HIYOSHI M., KAWAMURA N., Pressure contact assembly technology of high power devices, ISPSD '97, pp. 17-24, 26-29 May 1997.

Cité dans : [DIV137]  Recherche sur les mots clés : FIABILIT* ou RELIABILITY, octobre 1999.
Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Auteurs : Matsuda, H.; Hiyoshi, M.; Kawamura, N. - Microelectron. Center, Toshiba Corp., Kawasaki, Japan

Appears : in Power Semiconductor Devices and IC's, 1997. ISPSD '97., 1997 IEEE International Symposium on
Page : 17 - 24
Date : 26-29 May 1997
ISBN : 0-7803-3993-2, IEEE Catalog Number: 97CH36086, Total Pages: 375, Accession Number : 5703877
Lien : private/MATSUDA.pdf - 772 Ko.

Abstract :
The paper describes pressure contact technology applied to high
power semiconductor devices. Specific application to multiple
chip assembly, particularly IGBT chips, is dealt with, and
improved reliability characteristics are demonstrated.

Subjet_terms :
semiconductor device packaging; pressure contact assembly
technology; high power semiconductor devices; multiple chip
assembly; IGBT chips; reliability characteristics

Reference_cited : 20


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