K.H. Edelmoser, L.L. Erhartt, F.C. Zach, "Snubber circuits for power switches in IGBT half-bridges", PCIM
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Article : [SHEET498]

Titre : K.H. Edelmoser, L.L. Erhartt, F.C. Zach, Snubber circuits for power switches in IGBT half-bridges, PCIM

Cité dans :[REVUE155] PCIM Europe, Power Electronic - Components - Technology - Applications - Systems, no 8/9 2000.
Auteur : K. H. Edelmoser
Auteur : L. L. Erhartt
Auteur : F. C. Zach - Technical University Vienna

Lien : Pcim140.pdf - 4 pages, 211 Ko.
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
Efficient switching loss reduction for PT and NPT IGBTs. The 600 V NPT structure is able to compete with the PT structure.
For PT- type IGBTs intelligent snubbers for almost infinitely fast switches could reduce du/dt and di/dt to currently
manageable switching speeds.


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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