N. IDIR, J.J. FRANCHAUD, R. BAUSIERE, "New Control Technique achieves low di/dt and dv/dt", PCIM, february 2000.

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Titre : N. IDIR, J.J. FRANCHAUD, R. BAUSIERE, New Control Technique achieves low di/dt and dv/dt, PCIM, february 2000.

Cité dans :[REVUE116] PCIM Europe, Power Electronic - Components - Technology - Applications - Systems, no 02/2000.
Cité dans : [DIV218]  Recherche sur l'auteur Nadir IDIR, le 11 mai 2001.

Auteur : N. Idir
Auteur : J.J. Franchaud
Auteur : R. Bausiere, L2EP Laboratoire d'Electrotechnique et d'Electronique de Puissance de Lille

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/IDIR1.pdf - 117 Ko, 2 pages.

Abstract :
To reduce Electro-Magnetic Interferences (EMI), a new simple control technique for isolated gate
transistors allows to act upon turn-on and turn-off transition waveforms just as an integrated
adjustable snubber may do. This control may be applied to MOSFET or IGBT and allows to
reduce the di/dt and dv/dt during commutations.

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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