Caractérisation et modélisation

 Ces dernières années, l'amélioration des dispositifs a été un facteur dominant dans le développement de l'industrie microélectronique. Les défis technologiques associés à cette constante réduction d'échelle du transistor sont nombreux, contribuant à l'apparition de nouveaux effets dans les dispositifs. Repousser les limites physiques des générations actuelles de circuits intégrés requiert donc un travail de compréhension et d'approfondissement important. Etudes de fiabilité (oxydes ultra-minces, porteurs chauds, mécanismes d'injection…), simulation et modélisation de nouvelles architectures innovantes, nouveaux effets (effets quantiques, particularités de certaines structures…) nécessitent et s'appuient sur de constants efforts de caractérisation électrique, afin de mieux appréhender les mécanismes physiques mis en jeu. Tout ceci pour contribuer à la microélectronique de demain, qui sera toujours friande en performances de plus en plus élevées.