Article : [SHEET468]
Titre : D.G. YANG, L.J. ERNST, C. VAN'T HOF, M.S. KIASAT, J. BISSCHOP, J. JANSSEN, F. KUPER, Z. N. LIANG, R. SCHRAVENDEEL, G.Q. ZHANG, Vertical die crack stresses of Flip Chip induced in major package assembly processes, ESREF'2000, pp. 1533-1538.
Cité dans : [DATA126] ESREF'2000, 11th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Dresden, Germany, 2-6 octobre 2000. Cité dans :[THESE090] S. MOREAU, Fiabilité environnementale des composants de puissance : le TRIAC, Thèse de Doctorat, soutenue le 17 mai 2005, 127 pages.Auteur : D.G. Yang
Source : ESREF'2000, "11th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis", Dresden, Germany.
Date : 2-6 octobre 2000
Stockage : Thierry LEQUEU
Pages : 1533 - 1538
Info : Broek en ref. Also ECTC
Info : In reference [1], Van Kessel et al determined the fracture toughness of silicon is 25.9 N/mm e(2/3).
Bibliographie |
[1] : [LIVRE200] D. BROEK, Elementary Engineering Fracture Mechanics, June 1982, Martinus Nijhoff Publishers, 524 pages.
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