T. CRAMER, A. WANNER, P. GRUMBSH, "Dynamic Crack Propagation in Single-Crystalline Silicon", pp. 181-186.
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Titre : T. CRAMER, A. WANNER, P. GRUMBSH, Dynamic Crack Propagation in Single-Crystalline Silicon, pp. 181-186.

Auteur : T. Cramer - (*)
Auteur : A. Wanner - (**)
Auteur : P. Gumbsch - (*)
(*) Max-Planck-Institut für Metallforschung, Seestr. 92.70174 Stuttgart, Germany
(**) Institut fur Metallkunde. Univ. Stuttgart. Seestr. 71, 70174 Stuttgart. Germany

Stockage : Stéphane FORSTER et Thierry LEQUEU
Pages : 181 - 186

Abstract :
Tensile tests on notched plates of single-crystalline silicon were carried out at high overloads. Cracks were forced to
propagate on {110} planes in a < 1 1\ 0 > direction. The dynamics of the fracture process was measured using the potential
drop technique and correlated with the fracture surface morphology. Crack propagation velocity did not exceed a terminal
velocity of vc = 3800 m/s. which corresponds to 83% of the Rayleigh wave velocity vr. Specimens fractured at low stresses
exhibited crystallographic cleavage whereas a transition from mirror-like smooth regions to rougher hackle zones was observed
in case of the specimens fractured at high stresses.
Inspection of the mirror zone at high magnification revealed a deviation of the {110} plane onto {111} crystallographic facets.

References : 14
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Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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