Article : [SHEET221]

Titre : Turn-off characteristics of 1000 V SiC gate-turn-off thyristors, ISPSD'98.

Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits

Auteur : Sanger, P.A.
Auteur : Brandt, C.D.
Auteur : Barrow, J.
Auteur : Piccone, D.
Auteur : Rodrigues, R.
Auteur : Hansen, T. - ESSD-STC, Northrop Grumman Corp., Pittsburgh, PA, USA

Source : Power Semiconductor Devices & ICs, 1998. ISPSD 98. Proceedings of the 10th International Symposium on
Pages : 131 - 134
Date : 3-6 June 1998
ISBN : 0-7803-4752-8
Info : IEEE Catalog Number: 98CH36212 - Total Pages: xxiii+513
References : 9
Accession_Number : 6083028
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/SESHADRI.pdf - 289 Ko.

Abstract :
10 A//spl sim/175 V switching has been achieved using SiC GTOs. A
3 A/350 V package demonstrated 130 ns and 55 ns rise and fall
times with turn-off losses of 3.2 /spl mu/J. Switching times
increased by /spl sim/3/spl times/ at 250/spl deg/C. Devices
exhibited a dV/dt limit of 700 V//spl mu/s. MOS-gated turn-off of
2 A/100 V is also demonstrated for the first time using a SiC GTO
and Si MOSFET in a hybrid MTO/sup TM/ configuration.

Subjet_terms :
MOS-controlled thyristors; turn-off characteristics;
gate-turn-off thyristors; GTO switching; SiC GTOs; SiC GTO
package; fall time; rise time; turn-off losses; switching times;
MOS-gated turn-off; SiC GTO/Si MOSFET hybrid MTO configuration;
1000 V; 175 V; 10 A; 3 A; 350 V; 130 ns; 55 ns; 3.2 muJ; 250 C; 2
A; 100 V; SiC; Si

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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