Article : [SHEET188]

Titre : On a Petrov-Garlerkin method for the electrical and thermal behaviour of semiconductor devices in two dimensions.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.

Adresse : Trinity coll., Dublin 2, IRL
Nature : Périodique
Source : Mathematics and computers in simulation
ISSN : 0378-4754
CODEN : MCSIDR
Pays : NLD
Date : 1987
Volume : 28
Numéro : 5
Pages : 367 - 372
Références : 5 ref.
Langue : Anglais
Info : "SIMULATION" ET "SEMICONDUCTOR DEVICE" - 16/26 réponses.

Résumé :
Une méthode de Petrov-Galerkin inhabituelle est utilisée pour la discrétisation des équations du comportement électrique et thermique d'un dispositif semiconducteur à 2 dimensions dans les problèmes stationnaires. Le résultat est une généralisation au cas à deux dimensions et au système complet d'équations du procédé bien connu de Scharfetter-Gummel, le meilleur procédé de discrétisation en une dimension. Les variables sont les densités de porteurs de charge, le potentiel électrostatique et la temlprature absolue

Code : 001D03F19
Mots_clés : Simulation ; Comportement thermique ; Simulation électrique ; Dispositif semiconducteur ; Modèle 2 dimensions ; Dispositif état solide ; Discrétisation
Mots_clés : Simulation ; Thermal behavior ; Electrical simulation ; Semiconductor device ; Two dimensional model ; Solid state device ; Discretization
Mots_clés : Simulación ; Comportamiento térmico ; Simulación eléctrica ; Dispositivo semiconductor ; Modelo 2 dimensiones ; Dispositivo estado sólido ; Discretización

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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