Article : [SHEET176]

Titre : HEMT device characteristics calculation and modeling based on device structure.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.

Nature : Périodique
Source : Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University
ISSN : 1342-3819
Pays : JPN
Date : 1998
Volume : 3
Numéro : 1
Pages : 107 - 110
Références : 4 Refs.
Langue : Japonais
Info : Base de données PASCAL le 23/02/2000 - Mots clés anglais : "DEVICE SIMULATION" OU "ELECTROTHERMAL SIMULATION" - 3/3 réponses.

Résumé :
Based on device structure, HEMT DC characteristics are estimated by device simulation. Results show quantitative agreement with measured results. To confirm that the device simulation results can be applied to circuit simulation model, a nonlinear HEMT model recently proposed by Hirose and Watanabe, which employs an improved tanh function nonlinear fitting model has been investigated to prove its usefulness for our design system. The results are fitted by the nonlinear model better than SPICE MESFET model used in our previous work. These results show that HEMT DC characteristics can be estimated from the device simulation without fabrication to some extent.

Code : 001D03F; 001D02B12; 001A02
Mots_clés : Mathématiques ; Théorie ; Simulation ordinateur ; Structure dispositif semiconducteur ; Modèle dispositif semiconducteur ; Transistor effet champ barrière Schottky ; Transistor mobilité électron élevée ; Expérience
Mots_clés : Mathematics ; Device simulation ; Nonlinear model ; SPICE MESFET model ; Theory ; Computer simulation ; Semiconductor device structures ; Semiconductor device models ; MESFET devices ; High electron mobility transistors ; Experiments
Mots_clés : Matematicas
Localisation : INIST - 26626
Numéro : 98-0388922; INIST

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