Article : [SHEET174]

Titre : Measurement of buried oxide thermal conductivity for accurate electrothermal simulation of SOI devices.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.

Adresse : Univ of Southampton, Southampton, GBR
Nature : Périodique
Source : IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN : 0018-9383
CODEN : IETDAI
Pays : USA
Date : 1999
Volume : 46
Numéro : 1
Pages : 251 - 253
Références : 10 Refs.
Langue : Anglais
Info : Base de données PASCAL le 23/02/2000 - Mots clés anglais : "DEVICE SIMULATION" OU "ELECTROTHERMAL SIMULATION" - 1/3 réponses.

Résumé :
Finite element simulations demonstrate that the thermal conductivity of the buried oxide is an important parameter for the modeling of the thermal behavior of silicon-on-insulator (SOI) devices. There is much uncertainty about the conductivity of different forms of SiO2, particularly that of buried oxides. This paper presents a novel approach to measure this conductivity, using structures that are compatible with standard bipolar or CMOS processes. Thermal conductivity values of 0.66 and 0.82 W/mK, respectively, were found for 300-nm BESOI and 420-nm SIMOX oxides at room temperature. The measured variations of thermal conductivity with temperature agree well with bulk SiO2 behavior. Better agreement between measurement and finite element simulation of MOSFET thermal resistance is obtained by using these extracted thermal conductivity values. It is also shown that the role of the silicon substrate in determining the thermal resistance of the device can be calculated using a simple analytical model. This is important when one wishes to calculate accurately individual thermal resistances of transistors in a given circuit.

Code : 001D03F; 001D08A01; 001B00E70; 001B70; 001C01
Mots_clés : Chimie physique ; Théorie ; Oxyde ; Conductivité thermique solide ; Analyse thermique ; Structure dispositif semiconducteur ; Circuit intégré CMOS ; Circuit intégré bipolaire ; Transistor MOS ; Oxydation ; Résistance chaleur ; Modèle dispositif semiconducteur ; Méthode élément fini ; Simulation ordinateur ; Technologie silicium sur isolant
Mots_clés : Physical chemistry ; Buried oxide thermal conductivity measurement ; Electrothermal simulation ; Theory ; Oxides ; Thermal conductivity of solids ; Thermoanalysis ; Semiconductor device structures ; CMOS integrated circuits ; Bipolar integrated circuits ; MOSFET devices ; Oxidation ; Heat resistance ; Semiconductor device models ; Finite element method ; Computer simulation ; Silicon on insulator technology
Mots_clés : Fisicoquimica
Localisation : INIST - 222 F3
Numéro : 99-0347088; INIST

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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