P.E. DODD, "Device simulation of charge collection and single-event upset", 1996.

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Titre : P.E. DODD, Device simulation of charge collection and single-event upset, 1996.

Cité dans :[THESE071] E. LORFEVRE, Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement, thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.

Auteur : Dodd, P.E. - Sandia Nat. Labs., Albuquerque, NM, USA

Appears : Nuclear Science, IEEE Transactions on
Page : 561 - 575
Date : April 1996
Volume : 43
Issue : 2 Part: 1
ISSN : 0018-9499
CODEN : IETNAE
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/DODD.pdf - 1844 Ko (plus en août 2016).

Abstract :
In this paper we review the current status of device simulation
of ionizing-radiation-induced charge collection and single-event
upset (SEU), with an emphasis on significant results of recent
years. We present an overview of device-modeling techniques
applicable to the SEU problem and the unique challenges this task
presents to the device modeler. We examine unloaded simulations
of radiation-induced charge collection in simple p/n diodes, SEU
in dynamic random access memories (DRAM's), and SEU in static
random access memories (SRAM's). We conclude with a few thoughts
on future issues likely to confront the SEU device modeler.

Subjet_terms :
semiconductor device models; discrete event simulation; radiation
effects; DRAM chips; SRAM chips; semiconductor diodes; electronic
engineering computing; space vehicle electronics; radiation
hardening (electronics); CMOS memory circuits; charge collection;
single-event upset; ionizing-radiation-induced charge collection;
device-modeling; unloaded simulations; p/n diodes; dynamic random
access memories; DRAM; static random access memories; SRAM;
digital simulation; 3D; 2D; space environment; computational
modelling; Si CMOS

Accession_Number : 5277109

References : 148

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