Revue : [REVUE238]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 39, Issue 8, Pages 1173-1303 (August 1999.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 39
Issue : 8
Pages : 1173 - 1303
Date : August 1999

[1] : On the extraction of the source and drain series resistances of MOSFETs,
Pages : 1173-1184
F. J. García Sánchez, A. Ortiz-Conde and J. J. Liou
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[2] : Thin RF sputtered and thermal Ta2O5 on Si for high density DRAM
application, Pages 1185-1217
E. Atanassova
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[3] : Single-quantum well InGaN green light emitting diode degradation under
high electrical stress, Pages 1219-1227
Daniel L. Barton, Marek Osinski, Piotr Perlin, Petr G. Eliseev and Jinhyun
Lee
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[4] : Failure modes in surface micromachined microelectromechanical actuation
systems, Pages 1229-1237
S. L. Miller, M. S. Rodgers, G. La Vigne, J. J. Sniegowski, P. Clews, D.
M. Tanner and K. A. Peterson
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[5] : Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar
transistor structures at 77 K, Pages 1239-1246
M. Vellvehi, X. Jordà, D. Flores, P. Godignon, J. Rebollo and J. Millán
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[6] : Modeling of ionizing irradiation influence on Schottky-gate field-effect
transistor, Pages 1247-1263
N. V. Demarina and S. V. Obolensky
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[7] : Reliability of radio frequency/microwave power packages: the effects of
component materials and assembly processes, Pages 1265-1274
Philip M. Fabis
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[8] : Material property, compatibility, and reliability issues in
diamond-enhanced, GaAs-based plastic packages, Pages 1275-1291
Philip M. Fabis
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[9] : Analog circuit fault diagnosis based on noise measurement, Pages 1293-1298
Yisong Dai and Jiansheng Xu
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[10] : Incomplete ionization in a semiconductor and its implications to device
modeling, Pages 1299-1303
G. Xiao, J. Lee, J. J. Liou and A. Ortiz-Conde
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