Fiche : [REVUE213]
Titre : Les clubs CRIN, La Lettre - Electronique de puissance, N° 15.
Cité dans : [DIV039] Liste de revues diverses en électronique, avril 2016. Cité dans : [DIV436] Recherche sur l'auteur Martin COYAUD, juillet 2004.Auteur : Les clubs CRIN
Site : http://www.ecrin.asso.fr
Numéro : N° 15
Date :
Sommaire :
* Editorial
Pierre Merle, Président du GIRCEP 1
*PRESENTATION DU NUMERO SPECIAL SiC 3
François Costa, LESIR ENS de Cachan
* ANNUAIRES 5
* LES STRUCTURES ET GROUPEMENTS DE RECHERCHE 9
Le GDR " Intégration des Systèmes de Puissance " s’intéresse aux composants de puisance en SiC :
présentation Marie-Laure Locatelli, Centre de Génie Électrique de Lyon
Jean-Louis Sanchez, CNRS/LAAS - UPR 8001
GDR Semi-conducteurs à grand Gap
J.L. Robert, UMR 5660 CNRS-UM2
Groupement " Alternative SiC "
Roland Madar, LMGP UMR 5628 INPG/CNRS - ENSPG
*MARCHES POTENTIELS ET PERSPECTIVES D’UTILISATION 13
Les marchés et perspectives globales du SiC
Jean-Pierre Joly, CEA LETI
Le SiC, matériau du futur pour les composants en électronique de puissance
Jean-Pierre Gilbert, Vice President Technology, ALSTOM Technologies
*LES TRAVAUX DE RECHERCHE 19
Recherche sur les composants de puissance en carbure de silicium au Centre de Génie Électrique de Lyon
Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, Christophe Raynaud, Jean-Pierre Chante, UMR 5005 - INSA de Lyon
Étude comparative de diodes rapides en silicium et carbure de silicium
M. Coyaud, J.-P. Ferrieux, C. Schaeffer,UMR 5529 LEG-UJF CNRS
E. Collard, A. Lhorte, J.-B. Quoirin, STMicroelectronics
Réacteur CVD multi-usage adapté au SiC
André Leycuras, CRHA, CNRS
Propriétés physiques de base et technologie de mise en oeuvre des principaux polytypes de SiC
J. Camassel, S. Contreras, J.L. Robert, UMR 5650 CNRS-UM2,
Polissage des plaques de SiC : une étape indispensable pour une épitaxie réussie
Patrice Vicente, NOVASiC
Substrats SiC en couche mince obtenus par le procédé Smart-Cut®
F. Letertre, B. Ghyselen, SOITEC S.A.
E. Jalaguier, B. Aspar, CEA-LETI
Le Carbure de Silicium au CEA-LETI
Thierry Billon, CEA-LETI
Le Carbure de Silicium au LPM-INSA Lyon
Guillot, J.M. Bluet, A. Souifi, D. Barbier, UMR CNRS 5511, INSA de Lyon
Le Carbure de Silicium au LMI Lyon
Yves Monteil, Université Claude Bernard - Lyon 1
Rôle des laboratoires universitaires du secteur " Matériaux " de l’Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) dans les études et recherches en cours sur le Carbure de Silicium pour applications à l’électronique de puissance
Roland Madar, LMGP UMR 5628 INPG/CNRS, ENSPG
*SOUTENANCES DE THESES 43
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ECRIN
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