M. ROY, L. GONTHIER, C. ANCEAU, "The MBS (Mos Bidirectional Switch) a New MOS Switch With Reverse Blocking Voltage", EPE'99.

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Titre : M. ROY, L. GONTHIER, C. ANCEAU, The MBS (Mos Bidirectional Switch) a New MOS Switch With Reverse Blocking Voltage, EPE'99.

Cité dans :[99DIV076] EPE'99, European Conference on Power Electronics and Applications, Lausanne, Suisse, 7-9 septembre 1999.

Auteur : Roy Mathieu
Auteur : Gonthier Laurent
Auteur : Anceau Christine - Application Laboratory STMicroelectronics
Auteur : Giffard Benoit, CEA-LETI, France

Lien : private/PP360.pdf - 499 Kb, 7 pages.
Source : EPE'99
Date : 7-9 septembre 1999
Pages : 1 - 7

Keywords : Discrete power devices, device characterisation, drives, new devices, power semiconductor devices, silicon.

Abstract :
A new voltage controlled switch with reverse blocking voltage call MBS (Mos Bidirectionnal Switch) is
presented. The silicon structure of this device as well as the static and dynamic characterisations of MBS
prototypes will be showed , and its compatibility with the integration of a logic controlled circuit too.

Bibliographie

Références : 5
[1] : H. Foch et al, "Electronique de puissance : Principes fondamentaux élements constitutifq et synthèse des convertisseurs statiques", Techniques de l'Ingénieur, traité Génie Electrique, volume : D3150, D3152-1 à 17, D3153-1 à 19, D3154-1 à 7.
[2] : H. Yilmaz et al, "Comparison of the punch through and non punch through insulated gate transistor structures", Conf. Rec. IEEE industry Application Soc. Ann. Meeting, 1985, pp 905-908.
[3] : G. Miller and J. Sack, "A new concept for a non punch through IGBT with MOSFET like switching characteristics", Conf Rec. IEEE Power Electronic Specialists Conf., 1989, pp 21-25.
[4] : M Melito, A Galluzo, An Introduction to IGBTs, AN521, Discret Power Semiconductor Handbook, STMicroelectronics, 1995, pp 81-89.
[5] : T. Lequeu, L. Gonthier, J. : Mathias, B. : Cheron, "A New Design of commutation cell for AC/AC conversion", EPE'99, Lausanne

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