A. MUEHLHOFF, "An extrapolation model for lifetime prediction for off-state -degradation of MOS-FETs", ESREF'2001, pp. 1289-1293.

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Titre : A. MUEHLHOFF, An extrapolation model for lifetime prediction for off-state -degradation of MOS-FETs, ESREF'2001, pp. 1289-1293.

Cité dans : [DATA227] ESREF'2001, 12th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Arcachon, France , 1-5 octobre 2001.

Auteur : A. Muehlhoff - INFINEON AG, RM DEV, Otto-Hahn-Ring 6, 81541 Muenchen, Germany

Source : ESREF'2001 - 12th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis - Arcachon - France.
Date : 1-5 octobre 2001
Site : http://www.elsevier.com/locate/microrel
Pages : 1289 - 1293
Lien : private/Muehlhoff.pdf - 5 pages, 261 Ko.

Abstract :
Transistor parameter degradation in the off-state operation condition (Vgs=0V) becomes a severe reliability risk
for short channel transistors. In this paper it is shown that the punch-through current is the reason for parameter
degradation in the off-state operation condition. Suitable off-state stress measurements are discussed in detail. A
model for lifetime extrapolation is presented and confirmed by experimental results of n- and p-channel transistors.

Bibliographie

Références : 3
[1] : M. Takeda, C.Y. Yang, A. Miura-Hamada, "Hot Carrier Effects in MOS Devices", Academic Press, 1995, pp 49
[2] : R. Paul, "MOS-Feldeffekttransistoren", Springer, 1994, pp 155
[3] : M. Ohring, "Reliability and Failure of Electronic Materials and Devices", Academic Press, 1998, p331

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