G. MASSOBRIO, P. ANTOGNETTI, "Semiconductor Device Modeling with SPICE", Second Edition, 1992, 479 pages.
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Livre : [LIVRE285]

Titre : G. MASSOBRIO, P. ANTOGNETTI, Semiconductor Device Modeling with SPICE, Second Edition, 1992, 479 pages.

Cité dans : [DIV292]  T. LEQUEU, Informations diverses sur la simulation et conception en électronique de puissance, novembre 2019.
Auteur : Giuseppe Massobrio, University of Genoa, Italy
Auteur : Paolo Antognetti, University of Genoa, Italy

Lien : massobr.jpg - image, 20 Ko, Giuseppe Massobrio.
Info : McGRAW-HILL
ISBN : 0-07-002469-3
Date : 1993
Pages : 479 pages

Vers : Table of Contents
massobr1.jpg - 15 Ko


Table of Contents

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PN-Junction Diode and Schottky Diode.
Bipolar Junction Transistor (BJT).
Junction Field-Effect Transistor (JFET).
Metal Oxide-Semiconductor Transistor (MOST).
BJT Parameter Measurements.
MOST Parameter Measurements.
Noise and Distortion.
The SPICE Program.
Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, Ion-Sensitive Field-Effect Transistor, and Semiconductor-Controlled Rectifier.
Appendices: A: PN Junction.
B: MOS Junction.
C: MS Junction.


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 52 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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