M. CORREVON, "Electronique de puissance - Chapitre 7 - LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE DEUXIÈME PARTIE : LE MOSFET", HEIG-VD, HES-SO, http://www.iai.heig-vd.ch/ , 4 août 2011.
Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home
Fiche : [DIV587]
Titre : M. CORREVON, Electronique de puissance - Chapitre 7 - LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE DEUXIÈME PARTIE : LE MOSFET, HEIG-VD, HES-SO, http://www.iai.heig-vd.ch/ , 4 août 2011.
Cité dans : [DIV123] Liste des polycopiés de cours divers, mars 2010.
Cité dans : [DIV422] M. CORREVON, SYSTEMES ELECTRONIQUES - Chapitre 11 - Modélisation DC et AC des alimentations à découpage, HEIG-VD, HES-SO, http://www.iai.heig-vd.ch/ , 4 août 2011.
Cité dans : [DIV634] M. CORREVON, Systèmes électroniques - Chapitre 5 - Alimentations à découpage à transformateur, HES.SO, http://www.iai.heig-vd.ch/ , 29 août 2005.
Auteur : M. Correvon
Lien : CHAP07-MOSFET.pdf - 948 Ko, 42 pages.
Lien : CHAP07-MOSFET-2011.pdf - 948 Ko, 42 pages, version du 4 août 2011.
Lien : http://www.iai.heig-vd.ch/fr-ch/Enseignement/Supports/O_Electronique%20de%20puissance%20%28ELP%29/Chapitre%2007%20-%20Les%20semiconducteurs%20de%20puissance,%20le%20MOSFET.pdf - le 4 août 2011
Vers : Bibliographie
7. LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (2) : LE MOSFET..1
7.1 HISTORIQUE..1
7.2 LE MOSFET EN MODE INTERRUPTEUR..1
7.3 STRUCTURE DU MOSFET..1
7.3.1 Structure latérale..1
7.3.2 Structure verticale..1
7.4 CAS PARTICULIER DU DMOSFET..2
7.5 MODE DE FONCTIONNEMENT DU MOSFET..3
7.5.1 Processus de formation du canal..3
7.5.2 Comportement à l'état ouvert..4
7.5.3 Comportement à l'état fermé : caractéristique statique ID=f(VDS,VGS).4
7.5.4 Éléments parasites..5
7.5.4.1 Diode et transistor..6
7.5.4.2 Capacités parasites..6
7.5.4.3 Drain – Source résistance..7
7.5.5 Limitation dynamique en commutation..7
7.5.5.1 État ouvert (bloqué)..7
7.5.5.2 État fermé (conducteur).8
7.5.6 Avertissement..8
7.5.7 Grandeurs nominales de sélection..9
7.5.7.1 Tension Drain-Source : UDS..9
7.5.7.2 Résistance Drain-Source à l'état passant: RDSON..9
7.5.7.3 Courant de Drain en DC : ID..9
7.5.8 Limites maximales d'utilisation (Absolute maximum ratings)..9
7.5.8.1 Courant de Drain: ID et IDpulse.10
7.5.8.2 Tension Grille-Source VGS..12
7.5.8.3 Puissance maximale dissipée..12
7.5.8.4 Température maximale de jonction en fonctionnement Tjmax..12
7.5.8.5 Température maximale de stockage..12
7.5.8.6 Énergie d'avalanche..12
7.5.9 Caractéristiques statiques..15
7.5.9.1 Caractéristique V(BR)DSS=f(TJ)..15
7.5.9.2 Caractéristique ID=f(VDS,VGS)..16
7.5.9.3 Tension Grille-Source de seuil VGS(th)=f(TJ)..17
7.5.9.4 Courant de fuite de Drain à l'état bloqué IDSS..17
7.5.9.5 Courant de fuite de Grille IGSS..18
7.5.9.6 Résistance RDSON à l'état passant..18
7.5.9.7 Résistance équivalente d'entrée..19
7.5.10 Caractéristiques dynamiques..19
7.5.10.1 Caractéristique de transfert ID=f(VGS)..19
7.5.10.2 Mesures des capacités parasites..20
7.5.10.3 Condensateurs parasites..23
7.5.10.4 Caractéristique de transfert de charge.23
7.5.10.5 Transfert des charges. Énergie fournie par la commande.25
7.5.10.6 Estimation des temps de commutation..27
7.5.10.7 Temps de commutation..32
7.5.10.8 Énergie dissipée en conduction et en commutation..33
7.5.11 Diode intrinsèque..35
7.5.11.1 Courant continu passant IS..36
7.5.11.2 Courant impulsionnel maximum ISM..36
7.5.11.3 Tension de passage dans le sens direct VSD..36
7.5.11.4 Temps trr et charge Qrr de recouvrement..37
7.5.11.5 Courant inverse maximum Irrm..37
7.5.11.6 Décroissance maximale du courant d'extinction dIrr/dt..37
Références : 5
[1] : Fairchild Semiconductor, "MOSFET BASIC", Application Note AN9010, July 2000
[2] : Infineon, "INTRODUCTION TO AVALANCHE - Consideration for CoolMOSTM in SMPS applications, Application Note AN-CoolMOS-04
[3] : "LES CONVERTISSEURS DE L'ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE - VOLUME 3 : LA CONVERSION CONTINUE – CONTINUE (2ème édition)", Robert Bausière, Francis Labrique, Guy Seguier, Chapitre 3, ISBN : 2-7430-0139-9
[4] : "POWER ELECTRONICS - CONVERTERS, APPLICATIONS AND DESIGN", Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins, Chapitre 5, ISBN : 0-471-50537-4
[5] : "FUNDAMENTALS of POWER ELECTRONICS", Robert W.Erickson, Chapitre 2 & 5, ISBN : 0-412-08541-0
[1] : [PAP158] -------
[2] : [PAP158] -------
[3] : [LIVRE025] R. BAUSIERE, F. LABRIQUE, G. SEGUIER, Volume 3. La conversion continu-continu, éditions TEC & DOC, 1997.
[4] : [LIVRE034] N. MOHAN, T.M. UNDELAND, W.P. ROBBINS, Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, 1995 second edition, 802 pages.
[5] : [LIVRE345] R.W. ERICKSON, FUNDAMENTALS of POWER ELECTRONICS, ISBN 0-412-08541-0.
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 51 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.
Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.
