F. Bauer, W. Fichtner, H. Dettmer, R. Bayerer, E. Herr, T. Stockmeier, U. Thiemann, "Comparison of emitter concepts for high voltage IGBTs", ISPSD'95.

F. Bauer, W. Fichtner, H. Dettmer, R. Bayerer, E. Herr, T. Stockmeier, U. Thiemann, "Comparison of emitter concepts for high voltage IGBTs", ISPSD'95. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [ART246]

Info : REPONSE 7, le 13/05/2002.

Titre : F. Bauer, W. Fichtner, H. Dettmer, R. Bayerer, E. Herr, T. Stockmeier, U. Thiemann, Comparison of emitter concepts for high voltage IGBTs, ISPSD'95.

Cité dans : [DATA240] Recherche sur l'auteur E. HERR, mai 2002.

Auteur : Bauer, F. (ABB Semiconductors Inc, El Segundo, CA, USA)
Auteur : Fichtner,
Auteur : W.
Auteur : Dettmer, H.
Auteur : Bayerer, R.
Auteur : Herr, E.
Auteur : Stockmeier, T.
Auteur : Thiemann, U.

Meeting : Proceedings of the 1995 IEEE International Symposium on Power Semicomductor Devices and ICs.
Info : organization : IEEE
Location : Yokohama, Jpn
Date : 23 May 1995-25 May 1995
Source : IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD) 1995.,95CH35785.
Pages : 230 - 235
CODEN : PISDEK
ISBN: 0-7803-2619-9
Année : 1995
Meeting_Number : 43789
Document_Type : Conference Article
Treatment_Code : General Review
Language : English
Stockage :
Switches :
Power :
Software :

Abstract :
The impact of the injection efficiency of unshorted anode p plus
emitters on the static and dynamic electrical characteristics of high
voltage non-punchthrough IGBTs is analyzed using mixed mode
two-dimensional device and circuit simulation tools.The results are
compared to IGBT device structures with shorted anodes.IGBTs with high and
low efficiency anode emitters can be designed to have the same conduction
losses despite major differences in the pplus emitter doping profiles and
the carrier lifetime.Turn-off losses are in general higher for IGBTs with
homogeneous low efficiency emitters.Pushing the trade-off between
conduction and turn-off losses to the level set by anode shorted IGBTs is
also feasible for homogeneous, low efficiency p plus emitter devices,
though it requires approaching the technological limits of injection
efficiency and carrier lifetime.(Author abstract)

Références : 14 Refs.

Accession_Number : 1995(49):2901 COMPENDEX

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