Article : [SHEET117]
Titre : H. MATSUDA, New Advanced Power Semiconductors. From the State-of-the-Art to Future Trends, PCIM 1998, may 26-28, 1998, NÜRNBERG, GERMANY.
Cité dans :[SHEET010] J.-M. PETER, Power semiconductors. New devices pursue lower on-resistance, higher voltage operation, PCIM Power Electronics Systems, January 1999, vol. 25, no. 1, pp. 24,26-32. Cité dans : [CONF010] PCIM, POWER CONVERSION CONFERENCE & INTELLIGENT MOTION, ZM Communications Gmbh, septembre 2009.Auteur : Hideo Matsuda, Chief Specialist High Power Semiconductor Device, Engineering Department, Toshiba, Japan
Source : PCIM 1998, OFFICIAL PROCEEDINGS OF THE THIRTY-EIGHTH INTERNATIONAL POWER CONVERSION CONFERENCE
Lien : pcim/pcimpc98.txt
Date : MAY 26 - 28, 1998
Lieu : NÜRNBERG, GERMANY
Info : KEY NOTE PAPERS
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