S. Ishihara, T. Goshima, A.J. McEvily, T. Ishizaki, "On Fatigue Damage and Small Crack Growth Behavior of Silicon Nitride Under Cyclic Thermal Shock Loading"
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Article : [PAP433]

Titre : S. Ishihara, T. Goshima, A.J. McEvily, T. Ishizaki, On Fatigue Damage and Small Crack Growth Behavior of Silicon Nitride Under Cyclic Thermal Shock Loading

Cité dans : [CONF066] THERMES, Thermal Challenges in Next Generation Electronic Systems, septembre 2001.
Cité dans :[PAP360]
Auteur : S. Ishihara
Auteur : T. Goshima - Department of Mechanical Engineering Sciences, Toyama University, JAPAN.
Auteur : A.J. McEvily
Auteur : T. Ishizaki - Department of Metallurgy and Materials Engineering, University of Connecticut, USA .

Info : PRELIMINARY PROGRAM - SMALL FATIGUE CRACKS: MECHANICS AND MECHANISMS
Date : 6-11 December 1998
Lieu : Turtle Bay Hilton Resort, Oahu, Hawaii
Lien : THERMES/pastconf/8aopre.html


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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