V. POUGET, P. FOUILLAT, D. LEWIS, H. LAPUYADE, F. DARRACQ, A. TOUBOUL, "Laser cross section measurement for the evaluation of single-event effects in integrated circuits", ESREF'2000, pp. 1371-1375.
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Titre : V. POUGET, P. FOUILLAT, D. LEWIS, H. LAPUYADE, F. DARRACQ, A. TOUBOUL, Laser cross section measurement for the evaluation of single-event effects in integrated circuits, ESREF'2000, pp. 1371-1375.

Cité dans : [DATA126] ESREF'2000, 11th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Dresden, Germany, 2-6 octobre 2000.
Cité dans :[REVUE190] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Vol. 40, Issue 8-10, pp. 1243-1770, august-october 2000.
Auteur : V. Pouget
Auteur : P. Fouillat
Auteur : D. Lewis
Auteur : H. Lapuyade
Auteur : F. Darracq
Auteur : A. Touboul

Stockage : Thierry LEQUEU
SOurce : ESREF'2000
Pages : 1371 - 1375
Info : papier de l'IXL
Lien : private/POUGET.pdf - 5 pages, 273 Ko.

Abstract :
The cross section of ICs extracted from particles accelerator testing is extended to the pulsed laser
testing. The extraction methodology attached to this new parameter is presented. It provides a new tool for
integrated circuits reliability quantification, illustrated in the case of SEU sensitivity evaluation of a single
SRAM cell.


Bibliographie

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References : 6
[1] : J.S. Melinger, D. McMorrow, A.B. Campbell, S. Buchner, L.H. Tran, A.R. Knudson, W.R. Curtice, "Pulsed laser-induced single event upset and charge collection measurements as a function of optical penetration depth", J. of Applied Physics, vol. 84-2, 690-703, 1998.
[2] : R. Jones, A.M. Chugg, C.M.S. Jones, P.H. Duncan, C.S. Dyer, C. Sanderson, "Comparison Between SRAM SEE Cross-Sections from Ion Beam Testing With Those Obtained Using a New Picosecond Pulsed Laser Facility", RADECS99, 1999.
[3] : S.C. Moss, S.D. LaLumondiere, J.R. Scarpulla, K.P. McWilliams, W.R. Crain, R. Koga, "Correlation of Picosecond Laser-Induced and Energetic Particle-Induced Latchup in CMOS Test Structures", IEEE Trans. Nucl. Sc., vol 42-6, 1948-1956, 1995.
[4] : V.Pouget, D.Lewis, H.Lapuyade, R. Briand, P.Fouillat, L.Sarger, M.-C.Calvet, "Validation of Radiation Hardened Designs by Pulsed Laser Testing and SPICE Analysis", ESREF99, Microelectronics Reliability, 39, 931-935, 1999.
[5] : V. Pouget, "Simulation expérimentale par impulsions laser ultra-courtes des effets des radiations ionisantes sur les circuits intégrés", Ph.D Thesis, University Bordeaux 1, to be published in July 2000.
[6] : H. Lapuyade, P. Fouillat, Y. Maidon, J. Tomas, J.P. Dom, "Design for testability of built-in laser sensitive cells", Proc. of ESREF95, 467-472, 1995.


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