J.-L. SANCHEZ, H. FOCH, "L'intégration de nouvelles fonctions de l'électronique de puissance : les potentialités de l'intégration fonctionnelle", Forum Européen des Semiconducteur de Puissance, Club CRIN, Clamart, 22 octobre 1997, pp. 15-22.
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Titre : J.-L. SANCHEZ, H. FOCH, L'intégration de nouvelles fonctions de l'électronique de puissance : les potentialités de l'intégration fonctionnelle, Forum Européen des Semiconducteur de Puissance, Club CRIN, Clamart, 22 octobre 1997, pp. 15-22.

Cité dans : [DIV020]  Club CRIN 1997, Forum Européen des Semiconducteur de Puissance : Développements et besoins, Octobre 1997.
Cité dans :[99DIV112] Publications du LAAS, janvier 2000.
Cité dans :[99DIV082] Recherche sur les mots clés DUAL* ou DUAU*, 19 septembre 1999.
Cité dans : [DIV203]  Recherche sur les mots clés THYRISTOR* et DUAL*, le 30 mars 2001.
Auteur : J.-L. SANCHEZ
Auteur : H. FOCH

Revue : Forum Européen des Semiconducteur de Puissance, Club CRIN, Clamart
Date : 22 octobre 1997
Pages : p. 15-22

Stockage : Thierry LEQUEU
Info. : LAAS, LEEI
Mots_clés : intégration fonctionnelle, thyristor dual


Bibliographie

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Références : 6
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  [3] :  [PAP007]  J.-L. SANCHEZ, P. AUSTIN, R. BERRIANE, M. MARMOUGET, Trends in design and technology for new power integrated devices based on functional integration, EPE'97, Trondheim, vol. 1, pp. 302-307.
  [4] :  [PAP006]  R. PEZZANI, E. BERNIER, C. BALLON, A methodology for the fonctional power integration. Example : the evolution of the solid state protection in the TELECOM area, EPE'97, Trondheim, vol. 1, pp. 296-301.
  [5] :  [PAP035]  [D3150][D3151], Electronique de puissance - Introduction générale, H. FOCH et al., Techniques de l'Ingénieur, 1989.
  [6] :  [PAP084]  J.-L. SANCHEZ, J. RIOS, R. BERRIANE, J. JALADE, P.AUSTIN, New High Voltage Switches : Spontaneous Fired MOS-THYRISTOR Devices, EPE'95


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