T. LEQUEU, "Travaux Dirigés de Commutations des Composants - 2003/2004", IUT GEII 2ème année, option EEP, avril 2003.
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Fiche : [DIV396]

Titre : T. LEQUEU, Travaux Dirigés de Commutations des Composants - 2003/2004, IUT GEII 2ème année, option EEP, avril 2003.

Cité dans :[99DIV083] Liste des travaux écrits de Thierry LEQUEU, février 2018.
Cité dans : [DIV237]  T. LEQUEU, Travaux Dirigés de Commutations des Composants - 2001/2003, IUT GEII 2ème année, option EEP, juin 2001.
Auteur : Thierry LEQUEU

Info : Travaux Dirigés de Commutations des Composants COM-COM, 2003/2004.
Ecole : Institut Universitaire de Technologie - Génie Electrique et Informatique Industrielle
Cours : de 2ième année - option Electrotechnique et Electronique de Puissance
Date : avril 2003

TD 1 - Etude d'un dissipateur thermique 7
1.1 Cas de l'alimentation linéaire 7
1.2 Pertes de la cellule de commutation 9
TD 2 - La diode en commutation 11
2.1 Commutation "douce" 11
2.2 Commutation "dure" simplifiée 11
2.3 Blocage de la diode - Commutation "dure" 12
TD 3 - Mise en oeuvre des thyristors 13
3.1 Limitation de la vitesse de croissance du courant 13
3.2 Caractéristiques de l'impulsion de courant de gâchette 13
3.3 Limitation de la vitesse de croissance de la tension 14
3.4 Etude de la commande de gâchette par d'impulsions 14
3.5 Circuit de commande de gâchette 15
3.6 Caractéristiques du thyristor BTW 69 15
TD 4 - Commande du transistor bipolaire 17
4.1 Commutation à la fermeture 17
4.2 Saturation du transistor 17
4.3 Commutation à l'ouverture 17
4.4 Circuit d'anti-saturation 18
4.5 Accélération du courant de base 18
TD 5 - Le transistor MOSFET 19
5.1 Etude statique (2,5 points) 19
5.2 Commutation à la fermeture Phase 1 (2 points) 19
5.3 Commutation à la fermeture Phase 2 (2 points) 20
5.4 Commutation à la fermeture Phase 3 (1,5 points) 20
5.5 Commutation à la fermeture Phase 4 (1 points) 20
5.6 Commutation à l'ouverture du transistor MOSFET 21
5.7 Blocage du transistor MOSFET - Phase 1 (3 points) 21
5.8 Blocage du transistor MOSFET - Phase 2 (1,5 points) 21
5.9 Blocage du transistor MOSFET - Phase 3 (4,5 points) 21
5.10 Blocage du transistor MOSFET - Phase 4 (1 points) 21
5.11 Caractéristiques du transistor MOSFET IRF840 23
TD 6 - Circuits d'Aide à La Commutation 25
6.1 Circuit d'Aide à La Commutation au blocage 25
6.2 Etude simplifiée des commutations d'un onduleur à transistor 26
6.3 Différents type de dissipateurs 27


Mise à jour le dimanche 1 avril 2018 à 11 h 35 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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