T. LEQUEU, "Projet 04 - IGBT / Etude de l'IGBT par J.-P. Thauvin", 1999.
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Fiche : [DATA096]

Titre : T. LEQUEU, Projet 04 - IGBT / Etude de l'IGBT par J.-P. Thauvin, 1999.

Cité dans : [DATA076] T. LEQUEU, Documentations de maquettes électroniques, février 2018.
Cité dans :[99DIV119] J.P. THAUVIN, Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT, fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63.
Auteur : Thierry LEQUEU

Projet : IUT1
Révision : 1
Date : 1999


Bibliographie

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  [1] : [99DIV119] J.P. THAUVIN, Etude d'un semiconducteur de puissance : l'IGBT, fiche TP, revue 3EI no 1, décembre 1994, pp. 57-63.


Liste des composants

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Lien : IRGPC40F.pdf - 7 pages, 108 Ko, Fast speed IGBT, 600V, 27A.

Lien : BYT30PI4.pdf - 5 pages, 96 Ko, BYT 30PI-400, FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE.

Lien : CAPA159.pdf - 11 pages, 48 Ko, Aluminium electrolytic capacitors, Power Ultra Long Life Snap-in 159 PUL-SI.

  [1] :  [DIV126]  T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, janvier 2018.
CAPA159.jpg - 5 Ko


Mise à jour le dimanche 1 avril 2018 à 11 h 22 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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