T. LEQUEU, "Travaux Dirigés de Physique des Composants - 1999/2000", IUT GEII 2ème année, option EEP, avril 2000.
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Fiche : [DATA071]

Titre : T. LEQUEU, Travaux Dirigés de Physique des Composants - 1999/2000, IUT GEII 2ème année, option EEP, avril 2000.

Cité dans : [DIV123]  Liste des polycopiés de cours divers, mars 2010.
Cité dans :[99DIV083] Liste des travaux écrits de Thierry LEQUEU, février 2018.
Auteur : Thierry LEQUEU

Info : Travaux Dirigés de Physique des Composants PHYS. COMP. 1999/2000
Ecole : Institut Universitaire de Technologie - Génie Electrique et Informatique Industrielle
Cours : de 2ième année - option Electrotechnique et Electronique de Puissance
Date : avril 2000

TD 1 - Etude d'un dissipateur thermique 5
1.1 Cas de l'alimentation linéaire 5
1.2 Pertes de la cellule de commutation 5
TD 2 - La diode en commutation 7
2.1 Commutation "douce" 7
2.2 Commutation "dure" simplifiée 7
2.3 Blocage de la diode 8
TD 3 - Commutation du thyristor 9
3.1 Limitation de la vitesse de croissance du courant 9
3.2 Caractéristiques de gâchette 9
3.3 Limitation de la vitesse de croissance de la tension 10
3.4 Etude du transformateur d'impulsions 10
TD 4 - Commande du transistor bipolaire 11
4.1 Commutation à la fermeture 11
4.2 Saturation du transistor 11
4.3 Commutation à l'ouverture 11
4.4 Circuit d'anti-saturation 12
4.5 Accélération du courant de base 12
TD 5 - Le transistor MOSFET 13
5.0 Etude statique (2,5 points) 13
5.1 Commutation à la fermeture Phase 1 (2 points) 13
5.2 Commutation à la fermeture Phase 2 (2 points) 14
5.3 Commutation à la fermeture Phase 3 (1,5 points) 14
5.4 Commutation à la fermeture Phase 4 (1 points) 14
5.5 Caractéristiques du transistor MOSFET IRF840 1/2 15
5.6 Caractéristiques du transistor MOSFET IRF840 2/2 16
TD 6 - Contrôle d'Electronique de Commutation 17
6.1 Rappel sur les circuits du premier ordre (3 points) 17
6.2 Commutation "douce" de la diode (2 points) 17
6.3 Commutation "dure" simplifiée (2 points) 17
6.4 Commutation à la fermeture du transistor bipolaire (2 points) 18
6.5 Saturation du transistor bipolaire (2 points) 18
6.6 Commutation du transistor MOSFET (9 points) 18
TD 7 - Contrôle de TD Physique des Composants 19
7.1 Commutation "douce" à l'ouverture de la diode (7 points) 19
7.2 Commutation "dure" à l'ouverture de la diode (3 points) 19
TD 8 - Contrôle de Physique des Composants 21
8.1 Rappel sur les circuits du premier ordre (3 points) 21
8.2 Inversion du courant de base à l'ouverture (5 points) 21
8.3 Commutation à l'ouverture du transistor MOSFET 22
TD 9 - Circuits d'aide à la commutation 25


Mise à jour le dimanche 1 avril 2018 à 11 h 22 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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