Fiche : [DATA041]

Titre : Conférence ISPSD'91, Third Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Baltimore MD, April 22-24 1991.

Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.

Info : "SIMULATION" ET "SEMICONDUCTOR DEVICE" - 24/26 réponses.

Références :

  [1] : [99ART099] S.H. LARRY TU, B.J. BALIGA, Optimization of the MPS rectifier via variation of Schottky region area, ISPSD'91, pp. 109-112, 1991.
  [2] : [99ART109] SHENAI K., HENNESSY W., CHEZZO M., A novel trench planarization technique using polysilicon refill, polysilicon oxidation, and oxide etchback, ISPSD'91.

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