IEDM, "IEEE International Electron Devices Meeting", juin 2002.

IEDM, "IEEE International Electron Devices Meeting", juin 2002. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Fiche : [CONF033]

Titre : IEDM, IEEE International Electron Devices Meeting, juin 2002.

Cité dans : [DATA224] Liste alphabétique des conférences, août 2016.
Cité dans :[99DIV081] Dates des congrès sur les Convertisseurs Statiques, avril 2013.

Site : http://www.ieee.org/conferences/iedm

Vers : IEDM'2002
Vers : IEDM'2001
Vers : IEDM'2000
Vers : IEDM'98
Vers : IEDM'93
Vers : IEDM'84

IEDM'2002

Congrès : xxth 2001 IEEE International Electron Devices Meeting
Lieu : San Francisco, CA.
Date : December 9 - December 11, 2002
Abstract : June 24, 2002

Lien : IEDM/IEDM2002/index.html - le 17 juin 2002.
Site : http://www.his.com/~iedm/call/index.html - ok le 17 juin 2002.

IEDM'2001

Congrès : xxth 2001 IEEE International Electron Devices Meeting
Lieu : San Francisco, CA.
Date : December 9 - December 11, 2002
Date : Dec. 02, 2001 - Dec. 05, 2001
Contact : Ms. Phyllis Mahoney - IEDM - Suite 400-B - 101 Lakeforest Blvd. - Gaithersburg, MD 20877.
Tel. : +1 301 527 0900
Fax. : +1 301 527 0994
Lien : "mailto:phyllism@widerkehr.com"
Lieu : Washington Hilton & Towers - Washington, DC
Info : IEEE SPONSORS : ED

IEDM'2000

Congrès : xxth IEEE International Electron Devices Meeting
Lieu : San Francisco Hilton and Towers, San Francisco, CA.
Date : December 11 to 13, 2000
Lien : IEDM/IEDM2000/IEDM2000.HTM - le 17 juin 2002.
Site : http://www.ieee.org/conferences/iedm

IEDM'98

Congrès : xxth IEEE International Electron Devices Meeting

  [1] : [SHEET147] C. Fürböck, N. Seliger, D. Pogany, M. Litzenberger, E. Gornik, M. Stecher, H. Gossner, W. Werner, Backside Laserprober characterization of thermal effects during high current stress in Smart Power ESD protection devices, IEDM Tech. Digest, 1998, pp. 691
  [2] :  [PAP287]  J.H. STATHIS, D.J. DiMARIA, Reliability projection for ultra-thin oxides at low voltage, IEDM'98, pp. 167-170.

IEDM'93

Congrès : xxth IEEE International Electron Devices Meeting
Date : 5-8 Dec. 1993
ISBN : 0-7803-1450-6, IEEE Catalog Number: 93CH3361-3, Total Pages: 940

  [1] : [SHEET096] W. FICHTNER, T. FEUDEL, K. KELLS, K. LILJA, J. LITSIOS, S. MULLER, N. STRECKER, TCAD in power device design and optimization, IEDM'93.

IEDM'84

Congrès : xxth IEEE International Electron Devices Meeting

  [1] : [99ART134] V.A.K. TEMPLE, MOS Controled Thyristors (MCT's), IEDM tech, digest, pp. 282-285, 1984.

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 48 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.