E.A. HERR, "Reliability improvement with new passivation of solid encapsulated transistors" IEEE1972.
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Article : [ART247]

Info : REPONSE 21, le 13/05/2002.

Titre : E.A. HERR, Reliability improvement with new passivation of solid encapsulated transistors IEEE1972.

Cité dans : [DATA240] Recherche sur l'auteur E. HERR, mai 2002.
Auteur : Herr, E.A. (General Electric Co., Syracuse, NY, USA)

Source : Proceedings of the 10th Annual Conference on Reliability Physics 1972 New York, NY, USA: IEEE, 1972.
Pages : 69 - 72 of xi+219pp.
Références : 4 refs.
Conference : Las Vegas, NV, USA.
Date : 5-7 April 1972
Sponsor(s) : IEEE
Document_Type : Conference Article
Treatment_Code : Practical
Info : Country of Publication : United States
Language : English
Stockage :
Switches :
Power :
Software :

Abstract :
Reports design and the evaluation of a new passivation technique for
plastic encapsulated transistors. A family of small signal solid
encapsulated transistors has been designed and fabricated and tests have
shown that they are able to perform to military specifications. The
structure of these devices includes a clean silicon dioxide passivation
layer sealed with a barrier of silicon nitride, a gold coated refractory
metalization system and a high temperature glass coating.

Accession_Number : 1973:472650 INSPEC


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