Recherche sur l'auteur "Robert PEZZANI", octobre 2000.
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Titre : Recherche sur l'auteur Robert PEZZANI, octobre 2000.

Cité dans : [DIV096]  Recherches bibliographiques diverses, septembre 2016.
Cité dans :[99DIV110] Recherche sur l'auteur Philippe LETURCQ
Auteur : Thierry LEQUEU

Vers : Recherche du 1er octobre 2000 STN
Vers : entre 1990 et 2000
Vers : entre 1980 et 1990
Vers : entre 1970 et 1980
Vers : avant 1970


Recherche du 1er octobre 2000 STN

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Question : author Robert PEZZANI
Réponses : 5 dans COMPENDEX
  [1] : [SHEET434] R. PEZZANI, E. BERNIER, A. CHRISTINE, Evolution de la protection primaire des centraux telephoniques vers des structures silicium, Onde Electrique, vol. 73, no. 5, Sep-Oct 1993, pp. 55-60.
  [2] : [SHEET435] N.C. COULTHARD, R. PEZZANI, POWER SEMICONDUCTOR COOLING; EVACUATING THE HEAT WHERE IT IS GENERATED, International Conference on Power Electronics and Variable-Speed Drives, may 1984, pp. 62-65.
  [3] : [SHEET446] N. COULTHARD, R. PEZZANI, NEW DEVELOPMENTS IN IMPROVING THE CURRENT CARRYING CAPABILITY OF POWER SEMICONDUCTORS,  PESC'83, pp. 160-167.
  [4] : [SHEET436] N. COULTHARD, R. PEZZANI, UNDERSTANDING THE GATE ASSISTED TURN-OFF OF AN INTERDIGITATED, ULTRA-FAST, ASYMMETRICAL POWER THYRISTOR (GATASCR), PCI'81, september 1981, pp. 47-57
  [5] : [SHEET437] N. COULTHARD, R. PEZZANI, IMPROVING THE TURN-ON OF THE GATE ASSISTED TURN-OFF ASYMMETRICAL POWER THYRISTOR (GATASCR), PCI'82, march 1982, pp.256-257.
Réponses : 16 dans INSPEC
  [1] :  [PAP004]  D. BERGOGNE, R. PEZZANI, B. RENON, L. MOINDRON, The Integrable G.T.O. provides functional integration, EPE'97, Trondheim, vol. 3, pp. 80-82.
  [2] :  [PAP006]  R. PEZZANI, E. BERNIER, C. BALLON, A methodology for the fonctional power integration. Example : the evolution of the solid state protection in the TELECOM area, EPE'97, Trondheim, vol. 1, pp. 296-301.
  [3] : [SHEET439] G. CHARITAT, J.-M. DILHAC, Ph. LETURCQ, E. BERNIER, R. PEZZANI, Physical modelling of Shockley diodes used on 2/10 mu sec surge circuits, CAS'97, 20th International Semiconductor Conference, October 1997, vol. 1, pp. 113-118.
  [4] :  [PAP116]  R. PEZZANI, J.-B. QUOIRIN, Functional integration of power devices : a new approach, EPE'95 Seville, pp 2.219-2.223, 1995.
  [5] : [SHEET441] J.Y. HOCHET, J.B. QUOIRIN, R. PEZZANI, Silicon component development and experimentation for primary protection, INTELEC'93, 15th International Telecommunications Energy Conference, September 1993, vol. 2, pp. 428-432.
  [6] : [SHEET442] P. PEZZANI, E. BERNIER, C. ANCEAU, Telephone exchange primary protection developments towards silicon structures, INTELEC 93, sept. 1993, vol. 2, pp. 421-427.
  [7] : [SHEET443] P. PEZZANI, E. BERNIER, C. ANCEAU, Telephone exchange primary protection development towards silicon structures, L'Onde Electrique, Sept.-Oct. 1993, vol. 73, no. 5, pp. 55-60.
  [8] : [99ART131] R. PEZZANI, E. BERNIER, A. BREMOND, A programmable lightning protector for subscriber line interface circuit SLIC, 1991, EPEP MADEP.
  [9] : [SHEET435] N.C. COULTHARD, R. PEZZANI, POWER SEMICONDUCTOR COOLING; EVACUATING THE HEAT WHERE IT IS GENERATED, International Conference on Power Electronics and Variable-Speed Drives, may 1984, pp. 62-65.
 [10] : [SHEET446] N. COULTHARD, R. PEZZANI, NEW DEVELOPMENTS IN IMPROVING THE CURRENT CARRYING CAPABILITY OF POWER SEMICONDUCTORS,  PESC'83, pp. 160-167.
 [11] : [SHEET437] N. COULTHARD, R. PEZZANI, IMPROVING THE TURN-ON OF THE GATE ASSISTED TURN-OFF ASYMMETRICAL POWER THYRISTOR (GATASCR), PCI'82, march 1982, pp.256-257.
 [12] : [99ART167] P. BACUVIER, R. PEZZANI, J.C. SALBREUX, A. SENES, Thyristors asymétriques : puissance et rapidité pour de nouvelles applications, Electronique Industrielle, no. 11, 1 mars 1981, pp. 23-28.
 [13] : [SHEET445] R. PEZZANI, Limits to the use of thyristors, triacs and diodes under pulsed operating conditions. II., L'Electricien Industriel, Jan.-Feb. 1975, vol. 88, no. 2168, pp. 25-27.
 [14] : [SHEET444] R. PEZZANI, Restrictions in the use of thyristors, triacs, and power rectifiers in the field of pulse applications, L'Electricien Industriel, Dec. 1974, vol. 87, no. 2167, pp. 368-372.
 [15] : [SHEET440] R. PEZZANI, B. MERCIER, The DARISTOR-high speed thyristor with high commutation power, Electronique & Microelectronique Industrielles, 15 March 1972, no. 153, pp. 31-35.
 [16] : [SHEET438] R. PEZZANI, Mounting techniques of power semiconductors,  Electronique & Microelectronique Industrielles, May 1971, no. 143, pp. 57-63.


entre 1990 et 2000

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  [1] : [THESE062] F. GUITTON, Etude des formes d'onde CEM permettant d'éliminer le filtre secteur d'un convertisseur commutant des charges résistives directement sur le réseau basse tension. Application aux circuits intégrés de puissance ASDtm,
  [2] : [THESE009] O. GUILLEMET, Etude et conception de micro-disjoncteurs intégrés basées sur le mode d'intégration fonctionnelle, 1998.
  [3] :  [PAP010]  J.B QUOIRIN, R. PEZZANI, Intégration monolothique, état de l'art et tendance future, Forum Européen des Semiconducteur de Puissance, Club CRIN, Clamart, 22 ocobre 1997, pp. 9-14.
  [4] :  [PAP004]  D. BERGOGNE, R. PEZZANI, B. RENON, L. MOINDRON, The Integrable G.T.O. provides functional integration, EPE'97, Trondheim, vol. 3, pp. 80-82.
  [5] :  [PAP006]  R. PEZZANI, E. BERNIER, C. BALLON, A methodology for the fonctional power integration. Example : the evolution of the solid state protection in the TELECOM area, EPE'97, Trondheim, vol. 1, pp. 296-301.
  [6] : [SHEET447] R. PEZZANI, E. BERNIER, C. BALLON, From the gas tube towards the functional integration of a Solid State protection in the Telecom Area, EPE'97.
  [7] : [SHEET448] R. PEZZANI, E. BERNIER, C. BALLON, Une démarche d'intégration fonctionnelle et technologique : le cas des composants de protection pour réseaux téléphoniques, REE N°04, avril 1997, pp. 27-31.
  [8] : [SHEET439] G. CHARITAT, J.-M. DILHAC, Ph. LETURCQ, E. BERNIER, R. PEZZANI, Physical modelling of Shockley diodes used on 2/10 mu sec surge circuits, CAS'97, 20th International Semiconductor Conference, October 1997, vol. 1, pp. 113-118.
  [9] :  [PAP002]  R. PEZZANI, Structures Alimentations pour ASD, Rapport interne DGS TOURS, décembre 1995, 6 pages.
 [10] :  [PAP116]  R. PEZZANI, J.-B. QUOIRIN, Functional integration of power devices : a new approach, EPE'95 Seville, pp 2.219-2.223, 1995.
 [11] :  [PAP003]  J.-B. QUOIRIN, R. PEZZANI, Integration fonctionnelle de puissance : les produits ASD tm, EPF'94, ENS de CACHAN, 1994, pp. 179-182.
 [12] : [SHEET441] J.Y. HOCHET, J.B. QUOIRIN, R. PEZZANI, Silicon component development and experimentation for primary protection, INTELEC'93, 15th International Telecommunications Energy Conference, September 1993, vol. 2, pp. 428-432.
 [13] : [SHEET442] P. PEZZANI, E. BERNIER, C. ANCEAU, Telephone exchange primary protection developments towards silicon structures, INTELEC 93, sept. 1993, vol. 2, pp. 421-427.
 [14] : [SHEET443] P. PEZZANI, E. BERNIER, C. ANCEAU, Telephone exchange primary protection development towards silicon structures, L'Onde Electrique, Sept.-Oct. 1993, vol. 73, no. 5, pp. 55-60.
 [15] : [99ART131] R. PEZZANI, E. BERNIER, A. BREMOND, A programmable lightning protector for subscriber line interface circuit SLIC, 1991, EPEP MADEP.

entre 1980 et 1990

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  [1] : [SHEET435] N.C. COULTHARD, R. PEZZANI, POWER SEMICONDUCTOR COOLING; EVACUATING THE HEAT WHERE IT IS GENERATED, International Conference on Power Electronics and Variable-Speed Drives, may 1984, pp. 62-65.
  [2] : [SHEET434] R. PEZZANI, E. BERNIER, A. CHRISTINE, Evolution de la protection primaire des centraux telephoniques vers des structures silicium, Onde Electrique, vol. 73, no. 5, Sep-Oct 1993, pp. 55-60.
  [3] : [SHEET446] N. COULTHARD, R. PEZZANI, NEW DEVELOPMENTS IN IMPROVING THE CURRENT CARRYING CAPABILITY OF POWER SEMICONDUCTORS,  PESC'83, pp. 160-167.
  [4] : [SHEET437] N. COULTHARD, R. PEZZANI, IMPROVING THE TURN-ON OF THE GATE ASSISTED TURN-OFF ASYMMETRICAL POWER THYRISTOR (GATASCR), PCI'82, march 1982, pp.256-257.
  [5] : [99ART167] P. BACUVIER, R. PEZZANI, J.C. SALBREUX, A. SENES, Thyristors asymétriques : puissance et rapidité pour de nouvelles applications, Electronique Industrielle, no. 11, 1 mars 1981, pp. 23-28.
  [6] : [SHEET436] N. COULTHARD, R. PEZZANI, UNDERSTANDING THE GATE ASSISTED TURN-OFF OF AN INTERDIGITATED, ULTRA-FAST, ASYMMETRICAL POWER THYRISTOR (GATASCR), PCI'81, september 1981, pp. 47-57

entre 1970 et 1980

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  [1] : [SHEET445] R. PEZZANI, Limits to the use of thyristors, triacs and diodes under pulsed operating conditions. II., L'Electricien Industriel, Jan.-Feb. 1975, vol. 88, no. 2168, pp. 25-27.
  [2] : [SHEET444] R. PEZZANI, Restrictions in the use of thyristors, triacs, and power rectifiers in the field of pulse applications, L'Electricien Industriel, Dec. 1974, vol. 87, no. 2167, pp. 368-372.
  [3] : [99ART164] B. MERCIER, R. PEZZANI, Analyse des limites de performances des thyristors bidirectionnels. Application à la réalisation de triacs kilovoltaïques, 1972, Rapport final d'un marché DGRST.
  [4] : [SHEET440] R. PEZZANI, B. MERCIER, The DARISTOR-high speed thyristor with high commutation power, Electronique & Microelectronique Industrielles, 15 March 1972, no. 153, pp. 31-35.
  [5] : [SHEET438] R. PEZZANI, Mounting techniques of power semiconductors,  Electronique & Microelectronique Industrielles, May 1971, no. 143, pp. 57-63.

avant 1970

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  [1] :  [PAP157]  Référence non disponible.


Mise à jour le dimanche 1 avril 2018 à 11 h 21 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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